Samsung подминает рынок SSD новым диском

01/07/2014 23:50

Компания Samsung сделала серьезную заявку на лидерство в области выпуска потребительских накопителей SSD. Используя новую технологию расположения ячеек памяти 3D V-NAND специалисты компании выпустили линейку дисков 850 Pro, которые оставляют далеко позади всех конкурентов св плане скорости, Intel и Crucial повержены!

В данный момент скорость чтения и записи с новых дисков Samsung замерять сложно, так как она уперлась в "потолок" - пропускную способность самого интерфейса SATA. Диски уже появляются в продаже и с очень приятно 10-летней гарантией. При этом цена действительно приличная: $130 за 128 Гб за самый маленький по объему накопитель, и $730 за максимальный, объемом 1 Тб.

Главная / Статьи / Компьютеры

+20

Admin
5
1 628

Комментариев 5

Офлайн

pRT

pRT 2 июля 2014 00:25

+ +7 -

Цена адекват. Давно пора массово внедрять и забыть про hdd.

Жалоба

ZloyBabr

ZloyBabr 2 июля 2014 09:23

+ +4 -

как бы опять за громкими заявлениями (не соответствующими действительности) не оказалась рекламная компания..

Fredy

Fredy 2 июля 2014 17:58

+ +2 -

SATA Revision 3.0 до 6 Гбит/с (600 Мбайт/с для данных с учётом 8b/10b кодирования).
Видимо подразумевают 600 Мбайт/с на чтение и запись. Что в общем-то всего на 20% больше средних показателей современных SSD.

У гнусмуса хорошие чипы, сами делают. Так что заявления вполне обоснованы.

И касаемо самой статьи, автор ты совсем ленив? Тупо копи, паст с нищенского сайта?

Ещё:

Благодаря трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции удалось значительно повысить надежность и скорость памяти. Новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение надежности от 2 до 10 раз, но и вдвое повышает скорость записи по сравнению с обычной NAND-памятью с плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10 - нм класса.

Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений Samsung V-NAND является вертикальная компоновка ячеек, позволяющая объединить до 24 слоев в одном чипе памяти. При этом специальная технология травления позволяет сформировать вертикальные проводящие каналы, соединяющие слои от верхнего до нижнего. Новая вертикальная структура поможет Samsung выпускать NAND флэш - память более высокой емкости за счет увеличения числа 3D-слоев ячеек вместо дальнейшего наращивания площади чипа, приводящего к непропорциональному росту трудозатрат на его производство.

Заявлено, что обе модели SSD 3D V-NAND — на 20% быстрее аналогов на основе памяти класса 10-нм по скорости последовательной записи и по скорости записи случайных блоков. При этом число допустимых циклов стирания ячейки равно 35000. Напомним, с начала массовой эксплуатации NAND-флэш MLC с нормами 50-40 нм число допустимых циклов стирания снизилось до 10000.

http://www.anandtech.com/show/7237/samsungs-vnand-hitting-the-reset-button-on-nand-scaling

ReaLikt

ReaLikt 2 июля 2014 21:56

+ 0 -

HDD надежнее и долговечнее.

Ааз

Ааз 3 июля 2014 20:00

...в продаже и с очень приятно 10-летней гарантией...

И таки наши торгаши будут тоже давать 10 лет гарантии или как обычно год?

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.